介孔复合半导体NiO-TiO2的制备与光响应性能

摘要： 采用模板剂法制备了系列NiO-TiO2复合半导体，用N2吸附-脱附、XRD、TPR、TEM和UV-Vis DRS等方法对半导体材料的孔结构、表面构造、能带结构与其吸光特性进行了分析. 结果表明：所制备的NiO-TiO2为介孔结构的纳米管或带，其比表面积超过100m2/g；NiO在TiO2表面分散均匀，并部分形成NiTiO3固熔体；NiO与TiO2间存在明显的复合效应，当NiO含量由2%增加至10%时，其Eg值由3.82eV降至3.49eV，有效地拓展了光响应范围.