单源热蒸发制备有机无机杂化CH3NH3PbI3薄膜及其性能表征

摘要： 采用全真空单源热蒸发沉积技术直接制备钙钛矿太阳电池用有机无机杂化CH3NH3PbI3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和分光光度计对制备的CH3NH3PbI3薄膜微结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征分析, 并与非真空旋涂法制备的CH3NH3PbI3薄膜性能进行比较。结果表明: 单源热蒸发法制备的CH3NH3PbI3薄膜呈现单一的钙钛矿四方晶体结构, 且与蒸发源材料的晶体结构同源性高, 没有出现杂质相偏析; 对比旋涂法制备的CH3NH3PbI3薄膜表面均匀致密平整, 且薄膜结晶度更高; 单源热蒸发法制备的CH3NH3PbI3薄膜禁带宽度为1.57 eV, 符合钙钛矿太阳电池吸收层光学性能要求。