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红外与毫米波学报 2017
简易化学水浴法制备SnO2/p-Si异质结光电性能Keywords: SnO2薄膜 化学水浴法 异质结 I-V曲线 Abstract: 通过一种简易化学水浴法将SnO2薄膜沉积在晶硅衬底上以制备n-SnO2/p-Si异质结光电器件, 这种自制的化学水浴装置非常便宜和方便.采用XRD、SEM、XPS、PL、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征了SnO2薄膜的微结构、光学和电学性能, 对SnO2/p-Si异质结的I-V曲线进行测试并分析, 获得明显的光电转换特性
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