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Keywords: 低缺陷 锑化镓 原子力显微镜 V/III比
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本论文系统的研究了，随着GaSb薄膜生长温度的降低，V/III比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响。为了获得良好表面形貌的GaSb外延层，生长温度与V/III比均需要同时降低。当Sb源裂解温度为900℃时，生长得到低缺陷表面的低温GaSb薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1
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