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红外与毫米波学报 2017
多胞MOSFET器件的射频建模和参数提取Keywords: MOSFET器件、小信号模型、趋肤效应、等效电路、参数提取、半导体器件建模 Abstract: 对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中, 根据可缩放规律, 由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12 μm (栅指数×栅宽×元胞数量)、栅长为90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范围内的建模, 测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合
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