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北京理工大学学报 2017
K波段低噪声集成片上CMOS接收前端设计DOI: 10.15918/j.tbit1001-0645.2017.03.012 Keywords: K波段 接收前端 低噪声放大器 下变频混频器 CMOS Abstract: 基于TSMC 90nm CMOS工艺，设计实现K波段片上集成CMOS接收前端。接收前端由两级差分共源共栅结构低噪声放大器、双平衡吉尔伯特单元结构下变频混频器组成。射频输入、本振输入以及模块间采用片上巴伦进行匹配。测试结果表明，在射频输入频率23.2GHz时，转换增益为27.6dB，噪声系数为3.8dB，端口隔离性能良好，在电源电压为1.2V下，功耗为35mW，芯片面积为1.45×0.60mm2
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