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河北科技大学学报 2006
介观金属环中量子干涉晶体管对电子相干性的影响DOI: 10.7535/hbkd.2006yx03007, PP. 204-208 Abstract: 研究了介观金属环1个通道上的量子干涉晶体管的栅极电压及其在通道上的位置对电子相干性的影响。理论结果表明,一般情况下改变栅极长度l6(下通道长度l2)会使透射率以π(2π)周期性变化。同时发现栅极在通道上的位置对透射率的周期性不产生影响,仅改变透射率的大小。但当kl6=nπ时,透射率为kl2的函数,周期为π;当kl6=(2n+1)[]2π时,量子干涉晶体管的位置不影响电子透射率的相干性;当上、下通道长度相等,且kl2=kl=nπ时,透射率恒为1,与栅极长度及其在通道上的位置无关。
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