聚噻吩修饰纳米结构tio2膜电极光电性能研究

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了聚噻吩(pth)膜和纳米结构tio2/聚噻吩(ito/tio2/pth)复合膜的光电转换性质。结果表明,pth膜的禁带宽度为2.02ev,价带位置为-5.86ev,导带位置为-3.84ev。在ito/tio2/pth复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离,pth修饰ito/tio2电极可使光电流产生波长发生明显红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。在实验条件下,单色光的光电转换效率最高可达到13%。