zno-moo3添加(zr0.8sn0.2)tio4微波陶瓷的介电性能

微波电路的小型化、集成化和高可靠性对微波陶瓷提出了特殊的要求.作者在(zr0.8sn0.2)tio4主相系统中,单一添加zno或复合添加znomoo,考察了不同含量的上述改性添加剂对zr0.8sn0.2tio4陶瓷显微结构和微波介电性能的影响.主相合成条件为1100℃下3h;粉碎、成型后样品在1240℃～1400℃下3h烧成.在1ghz下用谐振腔法测量了材料的介电常数和qf值,并在1m下测量了频率温度系数τf.采用sem对样品进行形貌观察及能谱分析,并进行了xrd表征.研究结果表明,单独添加少量的zno(1%)可以降低烧结温度,但qf值较低,与复合添加样品的显微结构相比晶粒不均匀.复合添加moo3(0.25%)和zno(1%)的(zr0.8sn0.2)tio4陶瓷qf值由49430ghz提高到61210ghz,同时介电常数εr和谐振频率温度系数τf基本保持不变.