tio2纳米管阳极氧化制备机理及热处理对其影响

采用阳极氧化方法，在nh4f+h2o的乙二醇溶液体系下制备了tio2纳米管列阵薄膜，建立了tio2纳米管列阵薄膜的“电场诱导”生长模型。tio2纳米管的管形结构形成与tio2的半导体性质相关。纳米管表面吸附的纳米粒子与管壁间空间有关系。经过退火处理的纳米管管口由12~14个直径为25~35nm的纳米颗粒团聚体组成，600℃时，纳米管结构已被破坏。经过300~600℃之间不同温度处理后的tio2纳米管呈现锐钛矿晶态,比表面积随温度升高呈下降趋势。