射频磁控溅射制备mos2薄膜及其储锂性能研究

采用射频磁控溅射法，在ar气-h2s混合气氛中，以mos2靶材为原料，在泡沫铜基底上制备了mos2薄膜。利用x射线衍射（xrd）、raman光谱、扫描电子显微镜（sem）、能量弥散x射线谱（eds）等手段对样品的结构、形貌和成分进行了表征，并探讨了靶功率和基底温度对mos2薄膜的结构及形貌的影响。结果表明，靶功率的增加可以提高薄膜结晶度，但功率过高会造成薄膜的龟裂；基底温度升高会使mos2薄膜结晶度明显提高，且形成蠕虫状形貌。靶功率为80w，基底温度为300℃时，可以制备得到具有较高结晶度的蠕虫状mos2薄膜。对其进行充放电测试表明，在100ma·g-1的电流密度下，其首次放电比容量为980mah·g-1，经过40周循环，容量可保持为约920mah·g-1，容量保持率达到93.9%。