tio2纳米管阵列负载不同形貌cu2o薄膜的制备及光电性能研究

本论文采用阳极氧化法在金属钛基底上制备高度有序的tio2纳米管阵列薄膜,然后采用脉冲电流法在tio2纳米管阵列上沉积cu2o,从而制备出cu2o-tio2纳米管阵列异质结复合薄膜。借助x射线衍射仪(xrd),场发射扫描电子显微镜(fesem)和透射电子显微镜(tem)等表征手段,详细探讨了cu2o沉积过程中电解液的不同扰动方式(静止、磁力搅拌和超声搅拌)对复合薄膜物相和形貌的影响。实验结果表明电解液的扰动方式会影响cu2o沉积过程中的离子扩散和微区化学环境,从而影响cu2o的形貌。通过漫反射紫外-可见吸收光谱(uv-vis)和光电流性能测试可知所制备的负载cu2o型tio2纳米管阵列薄膜具有显著的可见光响应效应。