sio2/zn1-xmgxo复合半导体颗粒的制备及其光谱特性

利用异相成核种子生长法,采用锌镁盐浸渍和800℃固态烧结两处理步骤,在亚微米级的单分散sio2球上沉积zn1-xmgxo。通过xrd、tem和sem表征，sio2表面具有一层约17nm厚的zn1-xmgxo壳层，edx证明其组成为si、o、mg、zn，同sio2/zno比较，uv-vis测试发现其具有更好的紫外吸收性能，红外谱图显示sio2表面的硅羟基被sio2和zn1-xmgxo之间的界面键取代，在波长290nm的紫外光激发下出现了398nm紫色荧光峰和468nm及451nm2个较强的蓝色荧光峰。