sno2纳米带的水辅助生长与表征

以高纯sn粉为原料，采用水辅助生长法在850℃下合成了sno2纳米带，用sem、tem、xrd、edx、hrtem和saed对其形貌、结构和成份进行了表征，对sno2纳米带的光致发光和红外谱图进行了分析，探讨了水辅助生长sno2纳米带的化学原理和生长机制。结果表明：用水辅助生长法制备的sno2纳米带产量高、结构均匀，xrd衍射图与sno2的标准图完全一致，纳米带的宽度为70～100nm，厚度为5～8nm,长度可达数十微米；sno2纳米带光致发光在617nm和651nm处有2个强峰，在446nm处有一个弱峰，这些都是由氧空位引起的；sno2纳米带的红外谱图中560.6cm-1处的峰属于表面振动模式；水辅助生长sno2纳米带的可能机制是vs生长机制。