离子液体电沉积cuinxga1-xse2薄膜

采用循环伏安法（cv）对离子液体reline中三元cucl2+incl3+secl4体系和四元cucl2+incl3+gacl3+secl4体系的电化学行为进行了研究。研究表明，in3+并入三元cis（cu-in-se）薄膜体系和ga3+并入四元cigs（cu-in-ga-se）薄膜体系均有两种途径：一是发生共沉积，二是直接还原。利用电感耦合等离子体发射光谱（icp）和扫描电镜（sem）对沉积电势、镀液温度和主盐浓度对cigs薄膜组成、镀层表面形貌的影响进行了测试，结果表明通过工艺参数的选择可以控制ga/（ga+in）和cigs薄膜组成并得到化学计量比为cu1.00in0.78ga0.27se2.13的薄膜。