camoo4∶eu3+发光材料的制备和发光性质的研究

用共沉淀法与高温焙烧法制备了样品camoo4∶eu3+。tg-dta谱图表明：800℃时，样品吸收的能量最大，即形成稳定的camoo4∶eu3+结构。用xrd谱图进一步分析表明：800℃时，样品camoo4∶eu3+已形成camoo4的白钨矿结构。由于2个eu3+取代3个ca2+，导致了晶体产生微小的晶体缺陷，从而形成具有p-n结的半导体。经过激发和发射谱图的测试发现：这种缺陷结构不但可以使eu3+禁戒的4f电子发生跃迁，而且可以使moo42-的能量高效地传递给eu3+，尤其使与moo42-的发射特征峰(488nm)部分重叠的eu3+(465nm)的7f0→5d2电子跃迁得到了极大的加强，进而在λex=465nm的发射谱图中，自激活荧光体moo42-的发射强度被大大减弱甚至猝灭，而eu3+的5d0→7f2(612nm)跃迁的红光发光强度被大大增强，使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。