热处理对zno/au薄膜结构和压电特性的影响

？通过射频磁控溅射在氧化硅片表面沉积zno/au薄膜,并通过不同的热处理方式对薄膜进行退火。为了研究退火对zno/au薄膜结构和压电特性的影响,采用x射线衍射分析（xrd）、光学显微镜、场发射扫面电镜（fesem）和压电力分析仪对薄膜退火前后的材料特性进行了分析。研究发现,热处理能够改善zno/au薄膜的结晶质量。特别是在氮气保护氛围下慢速退火后,薄膜结晶质量有明显改善。但是,热处理导致了薄膜的压电系数d33和d31降低。分析认为,热处理过程中au原子在zno中的易迁移特性破坏了zno/au薄膜的压电性能。