纳米晶lanial薄膜充氦技术研究

？采用离子束辅助磁控溅射方法沉积出了纳米晶lanial膜和纳米晶渗氦lanial膜（膜厚约10μm），通过调节ar-he气氛的比例可控制纳米晶膜中的含氦量（he/lanial的原子分数5.7%~13.8%），通过该方法引入到lanial金属薄膜中的氦量远高于采用球磨法制备的纳米lanial粉中的含氦量。研究结果表明：渗氦lanial膜中的氦含量（原子分数）可达13.9%，氦在膜的深度方向分布均匀；热解析分析恒温条件下沉积的渗氦膜的起始释放温度为848k，最高释放温度为1407k，主释放峰为1080k，初步确定了氦主要是以团簇的形式存在于在纳米晶膜中。