电容式射频微机电系统开关损耗机制

？插入损耗是射频微机电系统(rfmems)开关的关键性能指标之一。电容式rfmems开关是一种适合高频应用的开关器件，对其损耗机制进行了研究。电容式rfmems开关的射频损耗主要包括四部分：信号线的导体损耗、衬底损耗、辐射损耗以及mems桥损耗。对电容式rfmems开关建立了损耗模型并进行了数值计算，同时在hfss有限元软件中进行了电磁仿真，数值计算结果和有限元仿真结果较好的吻合。此外，对影响电容式rfmems开关插入损耗的因素进行了分析，结果表明，高阻抗的衬底、200μm左右的导体宽度、较小的导体厚度以及较小的up态电容能够降低开关的插入损耗，提高开关的射频性能。