宽带高增益双层硅基mems微带天线阵列

？针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题，设计了一种易与射频（rf）前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合mems工艺，将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底，来改善微带天线介质基板的等效介电常数，有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构（dgs），有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10hz，2×2天线辐射阵列。仿真结果表明，天线相对阻抗带宽达到15.9%，增益超过10.9db，比传统微带天线有明显提升，同时满足引信中天线抗干扰的要求。