fe₃o₄/mgo(100)薄膜的激光分子束外延与磁电学性能

？采用激光分子束外延方法，以烧结α-fe2o3/为靶材，在mgo（100）基底上制备了fe3o4薄膜。通过反射高能电子衍射原位观察了薄膜生长前后的表面结构，结果表明所生长的fe3o4薄膜表面平整。经显微激光拉曼光谱和x光电子能谱分析证实所得薄膜表面成分为纯相fe3o4。磁电学性能采用多功能物性系统测量，结果表明：当温度降至100k附近时，薄膜电阻率有较大增加，verwey相转变的范围变宽而且不明显，说明反向晶粒边界的存在；在7160ka·m-1的磁场下，室温磁电阻达到-6.9%，在80和150k温度下磁电阻分别达到-10.5%和-16.1%；薄膜的室温饱和磁化强度约为260ka·m-1，其矫顽磁场约为202ka·m-1。