不同方法dkdp晶体生长和损伤阈值

？生长方法是影响dkdp晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法，利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了dkdp晶体，并选取部分ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明，不同生长方法对dkdp晶体的损伤阈值以及dkdp晶体的生长速度的影响效果正好相反，即由于生长溶液过饱和度的差别，点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍，但晶体损伤阈值下降了50%，且紫外波段透过性能下降明显。