用红外激光脉冲触发半绝缘gaas光电导开关的实验研究

？报道了用光子能量低于gaas禁带宽度的红外激光脉冲，触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘gaas光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mj的1064nmnd:yag激光触发开关，在偏置电压分别为3kv和5kv条件下，光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验，得到了重复频率分别为5khz和20mhz的电脉冲波形。结果表明，半绝缘gaas光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。