微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟
, PP. 0-0
Keywords: 微电路,增强光电流模型,wirth-rogers光电流模型,过剩少数载流子,高阻材料
Abstract:
？用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算。该模型在wirth-rogers光电流模型的基础上，增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底（准中性区）电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的。该模型对正确预估微电路pn结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段。
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