第四讲光吸收跃迁效应与半导体红外探测器的应用发展

？光吸收跃迁效应是半导体光电探测器的基本物理过程.文章主要介绍光吸收跃迁效应在窄禁带半导体红外探测器应用方面的研究进展.讨论窄禁带半导体带间光吸收跃迁的理论和实验.文章还介绍了本征光吸收系数的表达式及其在材料表征和确定器件截止波长方面的应用，以及它在解释近年来发现的hgcdte光电二极管电致负荧光现象方面的应用.