氮掺杂sb₂te₃相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究

？sb2te3(st)薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度(~132℃)等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法(pld)制备了氮掺杂的sb2te3薄膜。用原子力显微镜(afm)对此薄膜进行测试的结果表明，脉冲激光沉积法制备的生成态st薄膜和氮掺杂st薄膜表面粗糙度分别为0.12nm和0.58nm，表面较为平整。研究表明，pld法制备的氮掺杂st薄膜具有更好的组分稳定性，可显著提高薄膜低阻态电阻值，降低复位功耗，氮掺杂量在6at%的st薄膜的置位电压和复位电压适中，显示出较好的综合性能。