sige量子阱和超晶格的光发射

？系统地介绍了近几年来国内外对ｓｉｇｅ量子阱及短周期超晶格光发射的研究现状．由于ｓｉ，ｇｅ材料及器件在微电子学领域内的无可比拟的优越性，所以，超过９０％的芯片技术是ｓｉ基的，然而，由于ｓｉ，ｇｅ是间接带隙，载流子跃迁几率小，其光电应用受到很大的限制，为此，人们作出了不懈的努力，并取得了可喜的进展