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ISSN: 2333-9721
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物理  1980 

半导体强场效应的应用──微波雪崩管

, PP. 0-0

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?一、引言在强电场作用下,半导体具有若干异乎寻常的物理特性(见本文第三节),我们统称为强场效应.开始,这个问题是作为半导体材料(或器件)的一个限制而提出来的,即当场强达到某一定值时,将出现电击穿现象.这对半导体的实际应用是个限制.但是,深入的研究表明,在发生击穿之前(场强~10’v/cm)的小区域内(此区域称为雪崩倍增范围),半导体却得到了重要的应用,发展了新型的半导体器件──雪崩管[1-3]?...

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