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, PP. 229-231
Keywords: 碳化硅,射频,金属半导体场效应晶体管,电容模型
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考虑4H-SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点,采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论,结合双曲正切函数的描述方法,导出了适用于4H-SiCMESFET在射频功率应用时的大信号电容解析模型,其模拟结果与实验值有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且算法简单的优点,非常适合于微波器件结构及电路的设计.
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