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电子学报 2000
电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析, PP. 134-136 Keywords: 介观隧道结阵列,单电子陷阱,单电子晶体管静电探测计 Abstract: 本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器,结合目前扫描隧道显微镜(STM)进行纳米加工的特点,设计了该存储器的电路结构及其结构参数,计算出电路的电容矩阵,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟.结果表明,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性,但具有较高的工作温度及工作稳定性.
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