2~26GHzGaAs单片功率放大器
, PP. 140-142
Keywords: 微波单片集成电路,超宽带功率放大器,高电子迁移率晶体管,低噪声,HPRoot模型
Abstract:
报道了一个具有低噪声性能的2~26GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程.放大器采用分布式设计,在超宽带频率范围内增益为6.5±0.5dB,输入输出驻波比小于2.0.在2~20GHz内测得输出功率大于300mW,噪声系数为3.5~5.5dB.单片放大器包括所有匹配、隔直及偏置电路,芯片面积为3.2mm×1.275mm×0.1mm.
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