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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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In0.15Ga0.85As／GaAs多量子阱子能带跃迁压力效应
Keywords: 砷化镓量子阱子能带跃迁
Abstract:
用光调制吸收光谱方法在不同压力条件下研究了In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs应变多量子阱的子能带跃迁,发现子能带跃迁能量随压力的变化行为与构成量子阱的组成体材料带间跃迁能量的变化相似,并且子能带跃迁能量压力系数与量子阱的宽度有关。还讨论了压力可能引起的导带不连续率的变化和In_(0.15)Ga_(0.85)As应变层的临界厚度。
| [1] | 方晓明，Surf Sci，1990年，228卷，351页
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| [2] | 方晓明 候宏启.应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究[J].半导体学报,1990,11(4):270-278,.
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| [3] | Ji G，Phys Rev，1989年，39卷，3216页
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| [4] | Wang L J，物理学报，1989年，38卷，1086页
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| [5] | Ji G，J Appl Phys，1983年，62卷，3366页
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Full-Text
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