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ISSN: 2333-9721
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GaAs中缺陷的光致发光研究

Keywords: 半绝缘砷化镓光致发光缺陷

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用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的跃迁.认为1.447eV和1.32eV荧光带系分别对应于与Ga_(As)的两个电子态(38meV和203meV)有关的辐射复合.

 References

[1]  翁渝民，Chin Phys Lett，1991年，8卷，380页
[2]  Yu P W，Phys Rev B，1984年，29卷，2283页
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