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ISSN: 2333-9721
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ITO衬底上LiTaO3薄膜的制备与介电特性

Keywords: 钽酸锂薄膜,ITO衬底,退火条件,介电特性,膜的制备,介电特性,SUBSTRATE,THINFILM,DIELECTRICPROPERTIES,频率,质量,生长,晶化退火,焦化,使用,结果,介电损耗,介电系数,测试,结构,薄膜结晶,退火条件,影响,稳定性

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Abstract:

用溶胶凝胶法在ITO衬底上制备了钽酸锂(LiTaO3)薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的晶向、表面形态等作了表征;研究了不同溶剂对LiTaO3溶胶稳定性的影响和不同退火条件对LiTaO3薄膜结晶的影响;利用Al/LiTaO3/ITO结构,测试了薄膜的介电系数和介电损耗.结果表明:每层薄膜都晶化退火比交替使用焦化、结晶退火能生长出质量更好的LiTaO3薄膜;频率1KHz时,介电损耗约0.4,相对介电系数约53.并讨论了介电损耗增大的原因.

References

[1]  胡旭 太云见 袁俊等.非制冷铁电混合式红外焦平面探测器[J].红外与毫米波学报,2006,25(1):22-24.
[2]  Kohli C H, Moser J, Prasad K, et al. , Characterization of lithium tantalite thin films sputter-deposited onto RuO2/Si Substrates [J]. Microelec. Eng. , 1995, 29: 201-204.
[3]  Wemberg A A, Braunstein G H, Gysling H J. Improved solid phase epitaxial growth of lithium tantalate thin films on sapphire, using a two-step metalorganic chemical-vapor deposition process [J], Appl. Phys. Lett., 1993,63(19): 2649-2651.
[4]  ZHANG De-Yin, HUANG Da-Gui, HE Yan-Qiu. Intelligent temperature control strategy for LiTaO3 thin films deposition process [C], 2004 IEEE Conference on Intelligent Machatronics and Automation, Aug. 25-28, Chengdu, China, 2004 : 339-344.
[5]  Kao M C, Lee M S, Wang C M, et al. , Properties of LiTaO3 thin films derived by a diol-based sol-gel process [J], Jpn. J. appl. Phys., 2002, 41: 2982-2986.
[6]  杨平雄 孟祥建 黄志明 褚君浩.层状钙钛矿铁电薄膜中铁电极化子研究[J].红外与毫米波学报,2005,24(1):1-6.
[7]  LI Jin-Hua, YUAN Ning-Yi, LI Kun, et al. A comparison of ferroelectric properties of sol-gel PLT films on different electrodes[J], Ferroelectrics, 2001, 260(1-4): 533-538.
[8]  李建康 姚熹.Pb(Zrx,Ti(1-xO))O3成分梯度铁电薄膜的制备、结构及电性能表征[J].红外与毫米波学报,2005,24(4):250-254.

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