低频电磁辐射与出生缺陷相关性的调查分析

目的探讨低频电磁辐射与出生缺陷的关系。方法在2008年宁夏五个行政市22个市县(区)出生缺陷普查的基础上,按照国际出生缺陷监测情报交换所定义出生缺陷,并将其作为病例,无出生缺陷作为对照。2007年1月1日至12月31日出生的所有婴儿10792名及其母亲10928名,10527名婴儿(97.5%)接受调查且资料完整。结果本次调查出生缺陷发生率为134.89/万人,其中低频电磁辐射组出生缺陷发生率为545.5/万人,高于对照组的127.7/万人(χ2=7.454,P=0.006)。进一步对孕母可能造成出生缺陷的危险因素(生育年龄、是否近亲结婚、孕期接触有毒有害的物质和微量元素的补充等)和胎儿因素(胎龄、出生体重、胎数等)及家庭经济收入等进行多因素Logistic回归分析,显示孕期接触低频电磁辐射是出生缺陷的独立危险因素(OR=5.68,95%CI1.23～26.31)。结论孕期接触低频电磁辐射使出生缺陷发生的风险增加,必须予以预防。