衬底温度对铝掺杂氧化锌薄膜生长及其微结构性能的影响

以铝掺杂氧化锌(ZnO:Al) 陶瓷靶作为溅射材料，采用RF磁控溅射技术，在玻璃衬底上制备了ZnO: Al半导体薄膜，通过X射线衍射(XRD) 测试研究了衬底温度对ZnO:Al 薄膜生长特性及其微结构性能的影响．研究表明: 衬底温度对薄膜生长和微结构均具有明显的影响; 随着衬底温度的升高，薄膜(002) 晶面取向度和平均晶粒尺寸表现为先增大后减小的变化趋势，而半高宽、微应变和位错密度则呈现出先减小后增大的变化趋势． 当衬底温度为650 K 时，ZnO: Al 薄膜具有最高的(002) 晶面取向度、最大的晶粒尺寸、最窄的半高宽、最低的微应变、最小的位错密度，其结晶性能和微结构性能最佳