Mo:Sb:PbWO_4闪烁晶体的生长与发光性能

采用坩埚下降法生长了MoSbPbWO4(MoSbPWO)晶体。通过透射光谱、X射线激发的发射谱、光产额和荧光寿命的测试,研究了Mo,Sb双掺杂对PbWO4晶体的光谱和闪烁性能的影响。结果表明与未掺杂晶体相比,掺杂样品提高了PWO晶体在350～430nm波段的透过率,消除了350nm吸收,吸收边变得陡峭并且向长波方向偏移。MoSbPWO晶体的发光谱存在400～650nm的宽带,发光主峰为510nm,发光强度得到提高。尺寸为10mm×10mm×20mm的MoSbPWO晶体样品,在1000ns的积分时间门宽内光产额最大值可达70photon-electrons/MeV,约为Bi4Ge3O12(BGO)光产额的7.2%。光产额的提高主要来自于MoSbPbWO4晶体发光中的慢发光成分的增加。