等离子体增强化学气相沉积法制备氢化硅膜的自晶化倾向性

为了探寻生长过程中硅膜的自晶化沉积，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积了氢化硅薄膜，系统研究了不同沉积阶段所得硅膜微观结构的迁变规律。结果表明，硅膜的显微结构依赖于沉积时间，当沉积时间仅为30min时，所得硅膜的结构为非晶；而当沉积时间延至60min时，硅膜形成微晶颗粒；此后随着沉积时间的增加，晶化程度提高，且非晶区域面积相应减小。另外，硅膜的沉积速率也随沉积时间的增加而增加。在硅膜沉积过程中，随时间不断变化的界面状态可能为其自晶化的主要原因。