高聚物固体电解质聚氧化乙烯-溴化铜复阻抗谱及介电常数的静水压效应

采用分子量５００万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２薄膜,并在０．１～３００ＭＰａ范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱,分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系．进一步解谱准确地求出Ｐ（ＥＯ）ｎ－ＣｕＢｒ２（ｎ＝１２、１６）薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应,并结合Ｘ－光物相分析,根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论．添加２０％的增塑剂碳酸丙烯酯,较大改进了压力下的导电性．１２０～３００ＭＰａ的离子电导率提高一个数量级