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化学学报 2009
电场中B2分子特性研究, PP. 1875-1879 Keywords: B2,密度泛函理论(DFT),外电场 Abstract: 利用密度泛函理论(DFT)B3LYP/6-3l1+G(2d)方法研究在不同方向电场(0~+0.02a.u.)作用下的B2分子的基态键长、总能量、偶极矩、最高占据轨道(HOMO)能量、最低空轨道(LUMO)能量、能隙及势能曲线的变化规律.结果表明在一定外加电场范围内,随电场强度的增大,分子键长变大;总能量降低;偶极矩增大;HOMO能级、LUMO能级均降低;能隙依赖外电场方向,平行分子轴(Z)方向电场使能隙递减,垂直分子轴(X)方向电场使能隙递增;分子势能降低,平行分子轴线(Z)方向电场对分子势能的影响随着核间距的增大而增大,原有的“势能平台”遭到破坏.
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