全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用:99美元

查看量下载量

相关文章

更多...
化学学报  2013 

Ge2Sb2Te5的化学机械抛光研究进展

DOI: 10.6023/A13030326, PP. 1111-1117

Keywords: Ge2Sb2Te5,化学机械抛光,相变存储器

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5(GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工作综述了有关GST的化学机械抛光技术研究进展,讨论了GST化学机械抛光过程的影响因素,如下压力、转速、抛光垫、磨料、氧化剂、表面活性剂等,并对目前GST的化学机械抛光机理进行了归纳,进一步展望了GST的化学机械抛光技术的发展前景.

References

[1]  Carria, E.; Mio, A. M.; Gibilisco, S.; Miritello, M.; Grimaldi,M. G.; Rimini,E. Electrochem. Solid-State Lett. 2011, 14, 124.
[2]  Peng, H. K.; Cil, K.; Gokirmak, A.; Bakan, G.; Zhu, Y.; Lai, C. S.; Lam, C. H.; Silva, H. Thin Solid Films. 2012, 520, 2976.
[3]  Baker, D. A.; Paesler, M. A.; Lucovsky, G.; Agarwal,S. C.;Taylor, P. C. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 255501.
[4]  Jeong, T. H.; Kim, R. M.; Seo, H.; Park, J. W.; Yeon, C. Jpn. J. Appl. Phys, Part1. 2000, 39, 2775.
[5]  Matsunaga, T.; Yamada, N. Jpn. J. Appl. Phys. 2002, 41, 1674.
[6]  Yeung, F.; Ahn, S. J.; Hwang, Y. N.; Jeong,C. W.; Song,Y. J.; Lee,S. Y.; Lee,S. H.; Ryoo,K. C.; Park, J. H.; Shin, J. M.; Jeong, W. C.; Kim, Y. T.; Koh, G. H.; Jeong, G. T.; Jeong, H.S.; Kim. K. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 2691.
[7]  Bae, J.; Lee, W., Park, S.; Lee, J. D.; Hwang, I.; Nam, S. ICPT Grenoble, France. 2012,10.
[8]  Zhang, K, L.; Liu, Q. B.; Song, Z.T.; Feng, S.L.; Chen, B. IEEE. 2006.
[9]  Zhong, M. Ph. D. Investigation of Phase-change Materials Chemical Mechanical Polishing, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences,2010 (in Chinese) (钟旻, 博士论文, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海, 2010)
[10]  Kim, J. Y.; Suwon, S. US7, 682, 976, B2. 2010.3.23.
[11]  Liu, Q. B.; Song, Z. T.; Zhang, K. L.; Wang, L.Y.; Feng, S. L. Chin. Phys. Lett. 2006, 23, 2296.
[12]  Schulueter, J. A.; Palmer, B. J. US7, 678, 605B2. 2010, 3.16.
[13]  Liu, Z. US 2010/0112906 A1. 2010,5.6
[14]  Cui, H.; Cho, J. Y.; Park, J. H.; Park, H. S.; Park, J. G. J. Electrochem. Soc. 2011, 158, H666.
[15]  Park, J. H.; Cui, H.; Yi, S. H.; Park, J. G.; Paik, U. J. Mater. Res. 2008, 23, 3323.
[16]  Zhang, Z. F.; Liu, W. L.; Song, Z. T.; J. Vac. Sci. Technol. B. 2011, 29, 011020.
[17]  He, A. D.; Wang, L. Y,; Song, Z. T.; Liu,B.; Zhong, M.; Yan, W. X.; Li, T. J.; Feng, S. L. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2012,1,179.
[18]  He, A. D.; Song, Z. T.; Liu, B.; Zhong, M.; Wang, L. Y.; Lu, Y. G.; Feng, S. L. Chin. Phys. B. 2013, 22, 018503.
[19]  Yan, W. X.; Wang, L. Y.; Zhang, Z, F.; He, A.D.; Zhong, M.; Liu, W. L.; Wu, L. C.; Song, Z. T. Chin. Phys. Lett. 2012, 29(3):038301.
[20]  Cui, H.; Cho, J. Y.; Hwang, H. S.; Lim, J. H.; Park, J.H.; Park, H. S.; Hong, K.; Park, J. G. J. Electrochem. Soc. 2010,157, H1036.
[21]  Zhong, M.; Song, Z., T.; Liu, B.; Feng, S. L.; Chen, B. J. Electrochem. Soc. 2008, 155, H929.
[22]  Cho, J. Y.; Hao, C.; Park, J. H; Yi, S. H.; Park, J. G. Electrochem. Solid-State Lett. 2010, 13, H155.
[23]  Yi, S. H.; Cho, J. Y.; Park, J. G. J. Electrochem. Soc. 2012,159, C546.
[24]  Wang, L. Y.; Song, Z. T.; Zhong, M.; Liu, W. L.; Yan,W. X.; Qin, F.; He, A. D.; Liu, B. Appl. Surf. Sci. 2012, 258, 5185.
[25]  Wang, Y. L.; Liu, B.; Song, Z. T.; Feng, S.L.; Xiang, Y. H.; Zhang, F.X.; J. Electrochem. Soc. 2009, 156, H699
[26]  Cho, J. Y.; Cui, H.; Park, J. H.; Park, H. S.; Park, J. G. Electrochem. Solid-State Lett. 2011, 14, H450.

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133