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分析化学 1988
三辛基氧化膦修饰电极三元络合物体系测定铕(Ⅲ)的研究, PP. 306-310 Keywords: 化学修饰电极,三辛基氧化膦修饰电极,痕量铕的测定,微分脉冲伏安法,阴极溶出伏安法 Abstract: 本文报道了三辛基氧化膦(TOPO)修饰旋转圆盘玻碳电极对痕量铕(Ⅱ)的富集与测定的研究。在嚷吩甲酰三氟丙酮(HTTA),存在的HAc-NaAc底液中,由于协同络合作用,在电极表面形成Eu(TTA)3(TOPO)2三元络合物,从而将铕(Ⅱ)富集在电极表面。采用徽分脉冲阴极溶出伏安法,最低检出限可达0.01ng/ml,铕(Ⅱ)在0.04-2.60ng/ml范围内与峰高成线性关系。
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