纳米InP镶嵌复合薄膜的制备和光学性质

用射频磁控共溅方法制备了InP-SiO2纳米颗粒镶嵌复合薄膜,分析了它的结构和形成规律.X射线衍射和Raman谱结果表明,InP纳米颗粒呈多晶结构,颗粒平均尺寸为3～10nm.观察到了InP纳米颗粒Raman峰的红移和宽化现象,可用声子限域模型给予解释.光学透射谱表明,该复合膜的光学吸收边在整个可见光范围可调制,用量子限域效应解释了光学吸收带边的显著蓝移现象.对于该体系,由有效质量近似模型得到的理论值明显大于实验结果.分析表明,InP纳米颗粒的激子有效质量并非为常数,而与颗粒半径成反比关系,这可能是导致理论值与实验值差别的主要原因.讨论了该复合膜中InP纳米颗粒由直接带隙向间接带隙转变的可能性.