用场效应法研究a-Si_xC_(1-x):H薄膜的隙态密度

用场效应法测量a-Si∶H的隙态密度国内外有不少报道,而对a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜隙态密度的报道尚未见到。我们根据场效应原理,把a-Si_xC_(1-x)∶H膜作成场效应管的结构,引出源(S)、漏(D)和栅(G)三个电极进行测量。在测量温度T=330K、源漏间电压V_(DS)=10V时,我们测量了碳(C)含量为10％的未退火和退火样品的l_D～V_G关系,对弱n型a-Si_(0.9)C_(0.1)∶H样品得到了包括积累、耗尽、弱反型和