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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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硅在cBN单晶合成中的行为
DOI: 10.11858/gywlxb.1995.03.003, PP. 176-182
Keywords: cBN合成,复合氮化物,表面形态
Abstract:
实验制备了复合氮化物Li8SiN4，并对合成温度、合成时间、气流量等因素的影响以及产物的稳定性进行了讨论。研究了Li8SiN4作为触媒添加剂时硅在cBN单晶合成中的作用。结果表明：cBN晶体多为截角八面体，晶面致密光滑；硅参与cBN的合成反应，并以SiO2的形式沉积在cBN表面。
| [1] | Wentorf R H Jr. J Chem Phys, 1961, 34: 809.
|
| [2] | Devries R C, Fleischer J F. J Cryst Growth, 1972, 13-14: 88.
|
| [3] | Kabayama T. USP-3 959 443. 1976.
|
| [4] | Showa Denko. JP-59 199 514. 1984.
|
| [5] | Mazurenko A M, Leusenko A A, Shimanovich P P, et al. Svehtverd Mater, 1984, 5: 12.
|
| [6] | Llogd E C. NBS-SP-326. 1971: 343
|
| [7] | Juza R, Weber H H, Meyer-Simon E. Z Anorg Allg Chem, 1953, 273: 48.
|
| [8] | David J, Laurent Y, Chariot J P, et al. Bull Soc Fr Mineral Cristallogr, 1973, 96: 21.
|
| [9] | Lang J, Chariot J P. Rev Chim Miner, 1970, 7: 121.
|
| [10] | Dow Whitney E, Giese R F. Inorg Chem, 1971, 10: 1090.
|
| [11] | Yamane H, Kikkawa S, Koizumi M. J Pow Sour, 1987, 20: 311.
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