用于制备YBCO薄膜的光辅助MOCVD反应器内流动现象的数值研究

对一种制备YBCO薄膜的光辅助MOCVD反应器内的流动现象进行了三维数值模拟研究。在模拟计算中，分别改变基座与进口的相对角度(Φ)、反应器顶壁倾斜角度(Ψ)，得出反应器中流场的相应变化。根据对模拟结果的分析，发现当基座平面与进气口轴线之间的夹角Φ=22.5°及反应器顶壁倾角Ψ=30°时，基片表面气流速度大小合适，分布均匀，且回流涡旋得到抑制，反应器内的流场较适合YBCO薄膜生长。