纳米InAs镶嵌复合薄膜的制备及光吸收

采用射频共溅技术制备了ＩｎＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜，透射电子显微镜观察分析了该复合薄膜的微结构和形成规律。结果表明，随着衬底温度的提高，复合薄膜中ＩｎＡｓ的聚集状态经历由完全弥散到分形聚集再到纳米晶颗粒的转变。测量了该复合薄膜室温光吸收谱，观察到了吸收边发生较大蓝移的现象，并用量子取域理论对这种现象进行了解释。