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ISSN: 2333-9721
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金属学报  1997 

NEW PROCESS FOR SYNTHETIC SiC WHISKERS BY CVD
CVD法合成SiC晶须的实验研究

Keywords: synthesis of SiC whisker,CVD method,growth rate,crystalline characteristics,kinetic model
CVD
,合成,热力学,动力学模型,碳化硅,晶须

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Abstract:

利用简单的实验设备,特殊的金属丝作触媒,以SiO2和C为原料,利用碳热还原反应生成的SiO和CO,通过CVD的方法快速合成α-SiC晶须,用光学显微镜研究了晶须的生长速度,通过TEM研究α-SiC晶须的结构和生长方式。讨论了这种方法中α-SiC晶须生长的热力学条件,机理及生长动力学模型。

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