Influence of Magnetron Sputtering Process on Properties and Structures of VOx Thin Films
磁控溅射工艺对VOx薄膜结构和性能的影响

以高纯氧和高纯氩为气源，通过改变薄膜的制备工艺，用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx 薄膜，并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪，对VOx薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明，当溅射 气压为1.5Pa，功率为100W，时间为1h，氧氩比为0.8∶25时， 经450℃退火后，玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃，其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VOx 薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8∶25时，单晶硅片上制得的VOx薄膜的质量和性能最好。