ZnS Thin Film Prepared on Porous Si Substrate and Its Optical Properties
在多孔硅衬底上制备的ZnS薄膜及其光学性能

用脉冲激光沉积（PLD）方法在多孔硅（Ps）衬底上沉积了ZnS薄膜。用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、荧光分光光度计分别研究了ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能。结果表明，ZnS薄膜呈立方相晶体结构，沿β-ZnS（111）晶向择优取向生长；经过300℃真空退火30min后，ZnS薄膜的XRD衍射峰强度增大，表面变得粗糙，在可见光区的平均透射率达到80％以上，适合作太阳能电池过渡层、红外增透膜、红外窗口和头罩等。在退火后的ZnS／PS复合膜体系的光致发光谱（PL）中，除了高能端ZnS的蓝光发射和低能端Ps的红光发射外，在光谱中间550nm附近出现了一个新的绿光发射，这归因于ZnS薄膜退火过程中形成的缺陷能级而产生的缺陷中心发光。根据三基色叠加的原理将ZnS的蓝、绿光与Ps的红光叠加在一起后，ZnS／PS复合膜体系呈现出了较强的白光发射，这为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。